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索 引 号:002986088/201904-00062 信息分类:130100
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名    称:中国工程院外籍院士施敏教授做客海外名师大讲堂 生成日期:2019-04-19 08:14
关 键 词: 信息来源:引智人才处 供稿
发布机构:安徽省科学技术厅 访问量:845
信息格式: 废止日期:2039-04-14
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内容概述:近日,由安徽省科学技术厅(省外国专家局)主办,合肥高新技术产业开发区、中国科技大学微电子学院、合肥市半导体行业协会承办的施敏院士—第三期海外名师大讲堂在书法大厦隆重举办。 施敏院士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家,是非挥发MOS场效应记忆晶体管(NV

中国工程院外籍院士施敏教授做客海外名师大讲堂

近日,由安徽省科学技术厅(省外国专家局)主办,合肥高新技术产业开发区、中国科技大学微电子学院、合肥市半导体行业协会承办的施敏院士—第三期海外名师大讲堂在书法大厦隆重举办。

施敏院士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家,是非挥发MOS场效应记忆晶体管(NVSM)的发明者,在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献,在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。

施敏教授带来了题为“浮栅存储器:从概念到闪存到第四次工业革命的演变(The Floating-Gate Memory, from Concept to Flash Memory to the Fourth Industrial Revolution)”的学术报告。施敏教授回顾了他本人发明浮栅结构非挥发?#28304;?#20648;器的具体过程,讲述了浮栅存储器的工作原理、优点和随后的发展历程,详细介绍了浮栅存储器的广泛的应用和对经济社会发展的深远影响,分析了浮栅存储器在尺寸微缩过程中面临的挑战以及各类新型非?#36164;?#23384;储器的优点和前景。

来自中国科学技术大学、安徽大学、合肥学院的相关专业师生和晶合集成电路、宏晶微电子等企业研发人员、在职培训人员?#24067;?000余人参加了本次讲座。

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